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Si2306BDS
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.4
0.2
I D = 250 μA
10
8
0.0
6
T A = 25 °C
Single Pulse
- 0.2
4
- 0.4
- 0.6
2
- 0.8
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
0
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
Limited by R DS(on)*
I DM Limited
Time (s)
Single Pulse Power
10 μs
10
100 μs
1
1 ms
10 ms
0.1
T A = 25 °C
Single Pulse
100 ms
DC, 100 s, 10 s, 1 s
0.01
0.1
BV DSS Limited
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
t 2
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 130 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?73234.
www.vishay.com
4
Document Number: 73234
S-80642-Rev. B, 24-Mar-08
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